RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
48
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
11.7
Скорость записи, Гб/сек
7.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1955
1997
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link