RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сравнить
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB против Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Средняя оценка
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
54
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
54
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
10.9
Скорость записи, Гб/сек
7.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1955
2176
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link