RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
58
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
8.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
6.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
33
Скорость чтения, Гб/сек
8.2
9.6
Скорость записи, Гб/сек
6.4
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1718
2286
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link