RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2182
3044
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link