RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.2
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2182
3017
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link