SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Средняя оценка

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 51

Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 28
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 12.0
Скорость записи, Гб/сек

8.2 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2182 2347

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston KHX3000C15/16GX 16GB

Kingston KHX3000C15/16GX 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB

Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

модули RAM