RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
41
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
3051
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link