RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.3
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
3693
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link