RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
41
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
2897
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link