RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
42
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
42
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
2476
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link