RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
3212
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link