SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 41

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.4 11.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.6 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 26
Скорость чтения, Гб/сек

11.6 19.4
Скорость записи, Гб/сек

7.3 15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1438 3756

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM