RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
20.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
4114
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link