RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
50
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
50
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
12.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
2326
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link