RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.6
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
41
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
9.6
Скорость записи, Гб/сек
7.3
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
2082
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link