RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
58
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.6
9.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
58
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
9.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
2172
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link