SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Сообщить об ошибке

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 41

Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.6 11.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 28
Скорость чтения, Гб/сек

11.6 16.6
Скорость записи, Гб/сек

7.3 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1438 3007

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

Hypertec G2RT-4AFT00 16GB

Hypertec G2RT-4AFT00 16GB

модули RAM