SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

11.6 11.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.3 6.0

Среднее значение в тестах

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 41

Около -52% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 27
Скорость чтения, Гб/сек

11.6 11.1
Скорость записи, Гб/сек

7.3 6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1438 1890

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB

модули RAM

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

модули RAM