RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
43
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
13.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
2243
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Inmos + 256MB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link