RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
12.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
2619
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link