RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
43
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
15.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
3005
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link