RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
86
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
86
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
14.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
1658
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link