RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
19.1
Скорость записи, Гб/сек
6.6
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3609
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link