RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
12.9
Скорость записи, Гб/сек
6.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
2136
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link