RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
79
Около 52% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
79
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
14.0
Скорость записи, Гб/сек
6.6
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
1330
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link