RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
18.6
Скорость записи, Гб/сек
6.6
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3519
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link