RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.9
Скорость записи, Гб/сек
6.6
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3501
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link