RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.9
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
10.0
Скорость записи, Гб/сек
6.6
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
2200
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
AMD R334G1339U2S 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link