SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Kingston 9965662-002.A01G 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

10.9 8.6

Среднее значение в тестах

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 38

Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.3 6.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 34
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 8.6
Скорость записи, Гб/сек

6.6 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1406 2079

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905701-011.A00G 16GB

Kingston 9905701-011.A00G 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB

Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905598-009.A00G 8GB

Kingston 9905598-009.A00G 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Kingston X3XCFP-HYA 8GB

Kingston X3XCFP-HYA 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB

G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

модули RAM