RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
68
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
68
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
6.6
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
2007
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX3M1C1333C9 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link