RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
57
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.9
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
57
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
9.3
Скорость записи, Гб/сек
6.6
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
2233
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link