RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
71
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
1768
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link