RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
43
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
3606
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link