RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
43
Около -126% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
2991
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link