RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
43
Около -16% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
2046
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link