RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 5641152 4GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против INTENSO 5641152 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка
star star star star star
INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    8.1 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
INTENSO 5641152 4GB Причины выбрать
INTENSO 5641152 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 43
    Около -87% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.1 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 14.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 6.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1706 left arrow 2215

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM

OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB

INTENSO 5641152 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 5641152 4GB
INTENSO 5641152 4GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
модули RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
модули RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
модули RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
модули RAM
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
модули RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
модули RAM