RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 43
    Около -87% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.2 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.0 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 17.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 13.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1706 left arrow 3004

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM

OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
модули RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
модули RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
модули RAM