RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
43
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
2381
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link