RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
2890
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link