RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2065
2409
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link