RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
36
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2065
2550
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link