RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2065
2831
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link