SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Сообщить об ошибке

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 37

Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.8 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 14900

Около 1.29 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 22
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 17.4
Скорость записи, Гб/сек

7.2 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 19200

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2065 2801

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB

Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB

Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB

модули RAM

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB

модули RAM