RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
3606
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link