RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
3509
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link