RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
47
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
47
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
10.0
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
2308
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link