SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 42

Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 13.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.6 8.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 31
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 16.4
Скорость записи, Гб/сек

8.3 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2152 3046

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston 9905630-066.A00G 16GB

Kingston 9905630-066.A00G 16GB

модули RAM

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

модули RAM