RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB против Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
52
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
52
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2029
2236
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link