SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    15.1 left arrow 14.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 37
    Около -48% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.7 left arrow 9.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 14900
    Около 1.29 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.1 left arrow 14.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.9 left arrow 10.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    14900 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2506 left arrow 2620
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения