RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB против Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1822
2827
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link